SI3417DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2284852-SI3417DV-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI3417DV-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 8A (Ta) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SI3417 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.2mOhm @ 7.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1350 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) | |
| Другие имена | SI3417DV-T1-GE3CT SI3417DV-T1-GE3TR SI3417DV-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RQ6E050ATTCRRohm Semiconductor- RQ6E060ATTCRRohm Semiconductor
LTST-C191KGKTLite-On Inc.
SIA462DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
MMSZ5248BS-7-FDiodes Incorporated
1N4148WL2-TPMicro Commercial Co
DDZ20BSF-7Diodes Incorporated
MMBT3904LT1Gonsemi
BSS123,215Nexperia USA Inc.
SI3421DV-T1-GE3Vishay Siliconix- SI3483DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
- BC846ALT3Gonsemi
