SQD19P06-60L

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	SQD19
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	20A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1490 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	46W (Tc)
Другие имена	SQD19P06-60L_T4GE3CT SQD19P06-60L_T4GE3TR SQD19P06-60L_T4GE3-ND SQD19P06-60L_T4GE3DKR