FDD10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA
НОВА часть #:
312-2282856-FDD10AN06A0
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD10AN06A0
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD10AN06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Ta), 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1840 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 135W (Tc) | |
| Другие имена | FDD10AN06A0CT FDD10AN06A0DKR ONSONSFDD10AN06A0 FDD10AN06A0-ND FDD10AN06A0TR 2156-FDD10AN06A0-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQ2361ES-T1_GE3Vishay Siliconix
NX3DV221TKXNXP USA Inc.
DMTH6009LK3Q-13Diodes Incorporated
SS26T3Gonsemi
MMBT3904-7-FDiodes Incorporated
FDD5353onsemi
445I23D25M00000CTS-Frequency Controls
TLMG1100-GS08Vishay Semiconductor Opto Division
