DMTH6009LK3Q-13
MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
НОВА часть #:
312-2280707-DMTH6009LK3Q-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMTH6009LK3Q-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 14.2A (Ta), 59A (Tc) 3.2W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-3 | |
| Базовый номер продукта | DMTH6009 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 14.2A (Ta), 59A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1925 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 60W (Tc) | |
| Другие имена | DMTH6009LK3Q-13DITR DMTH6009LK3Q-13DICT DMTH6009LK3Q-13DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STD44N4LF6STMicroelectronics
RD3G400GNTLRohm Semiconductor
FDD10AN06A0onsemi
IXTY90N055T2IXYS- STD65N55F3STMicroelectronics
