FDD8N50NZTM
MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK
НОВА часть #:
312-2361374-FDD8N50NZTM
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD8N50NZTM
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 500 V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD8N50 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | UniFET-II™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 3.25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 735 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 90W (Tc) | |
| Другие имена | FDD8N50NZTMCT FDD8N50NZTMTUBE FDD8N50NZTMDKR FDD8N50NZTMTR FDD8N50NZTMTUBEINACTIVE FDD8N50NZTM-ND FDD8N50NZTMTUBE-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQD2P40TMonsemi
STD15N50M2AGSTMicroelectronics
STD7NM60NSTMicroelectronics- FDD6N50FTMonsemi
