SQP100P06-9M3L_GE3
MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB
НОВА часть #:
312-2306111-SQP100P06-9M3L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQP100P06-9M3L_GE3
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 100A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB | |
| Базовый номер продукта | SQP100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 12010 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 187W (Tc) | |
| Другие имена | SQP100P06-9M3L_GE3CT-ND SQP100P06-9M3L_GE3CT SQP100P06-9M3L_GE3DKR-ND SQP100P06-9M3L_GE3TR SQP100P06-9M3L_GE3DKR SQP100P06-9M3L_GE3TR-ND SQP100P06-9M3L_GE3TRINACTIVE SQP100P06-9M3L_GE3DKRINACTIVE |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTP140P05TIXYS
SUP90P06-09L-E3Vishay Siliconix
SUP70101EL-GE3Vishay Siliconix- SQP90P06-07L_GE3Vishay Siliconix
- IXTP96P085TIXYS
IRF4905PBFInfineon Technologies- IXTP120P065TIXYS
- SQP50P03-07_GE3Vishay Siliconix
IPP120P04P4L03AKSA1Infineon Technologies- AUIRF4905Infineon Technologies
