TSM2N100CH C5G
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
НОВА часть #:
312-2273662-TSM2N100CH C5G
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM2N100CH C5G
Стандартный пакет:
3,750
Технический паспорт:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-251 (IPAK) | |
| Базовый номер продукта | TSM2N100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.85A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 625 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 77W (Tc) | |
| Другие имена | TSM2N100CH C5G-ND TSM2N100CHC5G |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTH5N100AIXYS
STU2NK100ZSTMicroelectronics
APT8M100BMicrochip Technology
