APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
НОВА часть #:
312-2278424-APT8M100B
Производитель:
Номер детали производителя:
APT8M100B
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 [B] | |
| Базовый номер продукта | APT8M100 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1000 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1885 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 290W (Tc) | |
| Другие имена | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STW28NM50NSTMicroelectronics
IXTH5N100AIXYS
IRFPG50PBFVishay Siliconix
STU2NK100ZSTMicroelectronics
TSM2N100CH C5GTaiwan Semiconductor Corporation
