STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
НОВА часть #:
312-2273461-STL3NM60N
Производитель:
Номер детали производителя:
STL3NM60N
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | STL3NM60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ II | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 650mA (Ta), 2.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 188 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 22W (Tc) | |
| Другие имена | 497-13351-2 497-13351-1 497-13351-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
