STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
НОВА часть #:
312-2285673-STL3N65M2
Производитель:
Номер детали производителя:
STL3N65M2
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| Базовый номер продукта | STL3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ M2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 155 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 22W (Tc) | |
| Другие имена | 497-18738-6 497-18738-2 497-18738-1 STL3N65M2-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STL3NM60NSTMicroelectronics