FDMS86255
MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
НОВА часть #:
312-2283081-FDMS86255
Производитель:
Номер детали производителя:
FDMS86255
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 10A (Ta), 45A (Tc) 2.7W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | FDMS86 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Ta), 45A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4480 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Ta), 113W (Tc) | |
| Другие имена | FDMS86255TR FDMS86255DKR FDMS86255CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTMFS015N15MConsemi
FDMS86252Lonsemi- FDMS86163Ponsemi
AON6250Alpha & Omega Semiconductor Inc.- NTMFS022N15MConsemi
FDMS86255ET150onsemi
BSC320N20NS3GATMA1Infineon Technologies
TPH1500CNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage