IRFL210TRPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223

НОВА часть #:

312-2285279-IRFL210TRPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRFL210TRPBF

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

N-Channel 200 V 960mA (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223
Базовый номер продукта	IRFL210
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	960mA (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 580mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	140 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2W (Ta), 3.1W (Tc)
Другие имена	IRFL210TRPBFCT IRFL210TRPBFDKR IRFL210TRPBFTR *IRFL210TRPBF IRFL210PBFDKR-ND IRFL210PBFCT IRFL210PBFTR IRFL210PBFDKR IRFL210PBFTR-ND IRFL210PBFCT-ND