FQT4N20LTF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223-4
Базовый номер продукта	FQT4N20
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	850mA (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35Ohm @ 425mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	5.2 nC @ 5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	310 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.2W (Tc)
Другие имена	FQT4N20LTFDKR FAIFSCFQT4N20LTF FQT4N20LTF-ND FQT4N20LTFTR FQT4N20LTFCT 2156-FQT4N20LTF-OS