BSS209PWH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
НОВА часть #:
312-2284310-BSS209PWH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS209PWH6327XTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 630mA (Tc) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-323 | |
| Базовый номер продукта | BSS209 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 630mA (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 630mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.2V @ 3.5µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.3 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-70, SOT-323 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 115 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300mW (Ta) | |
| Другие имена | BSS209PWH6327XTSA1TR BSS209PWH6327XTSA1CT SP000750498 BSS209PWH6327XTSA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BAP50-05,215NXP USA Inc.
MMBT2222LT1Gonsemi
MCP1826ST-3302E/DBMicrochip Technology
PJC7401_R1_00001Panjit International Inc.
ZXTN25100BFHTADiodes Incorporated
DMG1013UW-7Diodes Incorporated
PMF170XP,115Nexperia USA Inc.- ZXTN25100DFHTADiodes Incorporated
TL3780AF330QGE-Switch- DMN10H220L-7Diodes Incorporated
- DMP2110UW-7Diodes Incorporated
