TSM1NB60CW RPG
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
НОВА часть #:
312-2263682-TSM1NB60CW RPG
Производитель:
Номер детали производителя:
TSM1NB60CW RPG
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 | |
| Базовый номер продукта | TSM1NB60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 138 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 39W (Tc) | |
| Другие имена | TSM1NB60CWRPGDKR TSM1NB60CWRPGCT TSM1NB60CWRPGTR TSM1NB60CW RPGDKR-ND TSM1NB60CW RPGTR-ND TSM1NB60CW RPGCT-ND TSM1NB60CW RPGTR TSM1NB60CW RPGCT TSM1NB60CW RPGDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSP135H6433XTMA1Infineon Technologies
STN1NK80ZSTMicroelectronics- FQT1N60CTF-WSonsemi
- STN1NK60ZSTMicroelectronics
- STN3N40K3STMicroelectronics
TSM2N60SCW RPGTaiwan Semiconductor Corporation- STN1HNK60STMicroelectronics
