FQT1N60CTF-WS

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4

НОВА часть #:

312-2281148-FQT1N60CTF-WS

Производитель:

Номер детали производителя:

FQT1N60CTF-WS

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

N-Channel 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223-4
Базовый номер продукта	FQT1N60
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	200mA (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	6.2 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-261-4, TO-261AA
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	600 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	170 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Tc)
Другие имена	FQT1N60CTF-WSDKR FQT1N60CTF_WSDKR-ND FQT1N60CTF_WSTR FQT1N60CTF-WSCT FQT1N60CTF_WS FQT1N60CTF_WSCT-ND FQT1N60CTF_WSTR-ND FQT1N60CTF_WSCT FQT1N60CTF-WSTR FQT1N60CTFWS FQT1N60CTF_WSDKR