IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
НОВА часть #:
312-2281545-IPD35N10S3L26ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD35N10S3L26ATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD35N10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 35A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 39µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2700 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 71W (Tc) | |
| Другие имена | IPD35N10S3L26ATMA1CT IPD35N10S3L-26-ND IPD35N10S3L-26 SP000386184 IPD35N10S3L26ATMA1DKR INFINFIPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1TR 2156-IPD35N10S3L26ATMA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BTS5210LAUMA1Infineon Technologies
TLE42754DATMA1Infineon Technologies
BAT46WJ,115Nexperia USA Inc.
BTS740S2XUMA1Infineon Technologies
BTS50302EKAXUMA1Infineon Technologies
SPB17N80C3ATMA1Infineon Technologies
IPD35N10S3L-26Infineon Technologies
CS4398-CZZRCirrus Logic Inc.
IPD30N10S3L34ATMA1Infineon Technologies
BTS4300SGAXUMA1Infineon Technologies- BTS4175SGAXUMA1Infineon Technologies
- IPD50N10S3L16ATMA1Infineon Technologies
- IFX9201SGAUMA1Infineon Technologies
