SUD19P06-60-E3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
НОВА часть #:
312-2287833-SUD19P06-60-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUD19P06-60-E3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SUD19 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18.3A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1710 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) | |
| Другие имена | SUD19P06-60-E3CT SUD19P06-60-E3DKR SUD19P06-60-E3TR SUD19P06-60-E3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQD19P06-60L_GE3Vishay Siliconix
SS10PH10HM3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division
TL432BSA-7Diodes Incorporated
BSZ034N04LSATMA1Infineon Technologies
REG1117-3.3Texas Instruments- SUD19P06-60-GE3Vishay Siliconix
DMPH6050SK3-13Diodes Incorporated
NP15P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
FSB560Aonsemi
SPD18P06PGBTMA1Infineon Technologies- SUD19P06-60-BE3Vishay Siliconix
