NVMFS3D6N10MCLT1G
MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
НОВА часть #:
312-2288858-NVMFS3D6N10MCLT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMFS3D6N10MCLT1G
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 132A (Tc) 3.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Базовый номер продукта | NVMFS3 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Ta), 132A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 48A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 270µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4.411 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 139W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NVMFS3D6N10MCLT1GTR 488-NVMFS3D6N10MCLT1GDKR 488-NVMFS3D6N10MCLT1GCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BAS521BFNexperia USA Inc.
- BSC035N10NS5ATMA1Infineon Technologies
- SQM120P04-04L_GE3Vishay Siliconix
- NTMFS6B03NT3Gonsemi
- NTMFS3D6N10MCLT1Gonsemi




