IRFH8334TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
НОВА часть #:
312-2265310-IRFH8334TRPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRFH8334TRPBF
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 44A (Tc) 3.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) | |
| Базовый номер продукта | IRFH8334 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 14A (Ta), 44A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.35V @ 25µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1180 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 30W (Tc) | |
| Другие имена | IRFH8334TRPBFTR IRFH8334TRPBFDKR SP001577860 IRFH8334TRPBFCT |
In stock Нужно больше?
0,40890 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- TPN8R903NL,LQToshiba Semiconductor and Storage
- IRFH8318TRPBFInfineon Technologies
- IRFH8325TRPBFInfineon Technologies



