IRFH8325TRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PQFN (5x6)
Базовый номер продукта	IRFH8325
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	21A (Ta), 82A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.35V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2487 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.6W (Ta), 54W (Tc)
Другие имена	IRFH8325TRPBFTR IRFH8325TRPBFCT IRFH8325TRPBFDKR SP001566798

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!