NTMJS1D4N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
НОВА часть #:
312-2297740-NTMJS1D4N06CLTWG
Производитель:
Номер детали производителя:
NTMJS1D4N06CLTWG
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-LFPAK | |
| Базовый номер продукта | NTMJS1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 39A (Ta), 262A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 280µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 103 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7430 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4W (Ta), 180W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NTMJS1D4N06CLTWGDKR 488-NTMJS1D4N06CLTWGCT 488-NTMJS1D4N06CLTWGTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NTMTS001N06CLTXGonsemi
- NVMJS1D5N04CLTWGonsemi
- SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
- SQJA80EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
- AOTL66610Alpha & Omega Semiconductor Inc.




