NVMJS1D5N04CLTWG
MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
НОВА часть #:
312-2272576-NVMJS1D5N04CLTWG
Производитель:
Номер детали производителя:
NVMJS1D5N04CLTWG
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-LFPAK | |
| Базовый номер продукта | NVMJS1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 38A (Ta), 200A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4300 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | |
| Другие имена | NVMJS1D5N04CLTWGOS NVMJS1D5N04CLTWGOS-ND NVMJS1D5N04CLTWGOSTR NVMJS1D5N04CLTWGOSCT NVMJS1D5N04CLTWGOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NTMJS1D4N06CLTWGonsemi
TPH1R204PL1,LQToshiba Semiconductor and Storage
FDMS015N04BFairchild Semiconductor- BSC014N04LSATMA1Infineon Technologies