IXTY02N120P

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252

НОВА часть #:

312-2263295-IXTY02N120P

Производитель:

Номер детали производителя:

IXTY02N120P

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	IXYS
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	IXTY02
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Polar
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	200mA (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	4.7 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	104 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	33W (Tc)
Другие имена	IXTY02N120P-CRL Q14232739