SPP18P06PHXKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3

НОВА часть #:

312-2288757-SPP18P06PHXKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

SPP18P06PHXKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-3
Базовый номер продукта	SPP18P06
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	SIPMOS®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	18.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	860 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	81.1W (Ta)
Другие имена	SPP18P06P G-ND IFEINFSPP18P06PHXKSA1 SPP18P06P H SPP18P06PH 2156-SPP18P06PHXKSA1 SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P H-ND