SPP80P06PHXKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3

НОВА часть #:

312-2283529-SPP80P06PHXKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

SPP80P06PHXKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-3-1
Базовый номер продукта	SPP80P06
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	SIPMOS®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	80A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 5.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	173 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-220-3
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	5033 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	340W (Tc)
Другие имена	SPP80P06PH SPP80P06P G SP000441774 SPP80P06P H SPP80P06P H-ND SPP80P06P G-ND