FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
НОВА часть #:
312-2284844-FDC658AP
Производитель:
Номер детали производителя:
FDC658AP
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SuperSOT™-6 | |
| Базовый номер продукта | FDC658 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.1 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 470 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta) | |
| Другие имена | FDC658APCT FDC658APTR 2156-FDC658AP-OS FDC658APDKR |
In stock Нужно больше?
0,39940 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDC658AP-GFairchild Semiconductor
RRQ045P03TRRohm Semiconductor
SI3410DV-T1-GE3Vishay Siliconix
FDS6975onsemi
LTC4011CFE#PBFAnalog Devices Inc.
FDC5614Ponsemi
UPS140E3/TR7Microchip Technology
NTJD4152PT1Gonsemi- LTC4011CFE#TRPBFAnalog Devices Inc.
- FDC6333Consemi
DMP3050LVT-7Diodes Incorporated
BSS138onsemi
