SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
НОВА часть #:
312-2282024-SI3410DV-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI3410DV-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-TSOP | |
| Базовый номер продукта | SI3410 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1295 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 4.1W (Tc) | |
| Другие имена | SI3410DV-T1-GE3CT SI3410DV-T1-GE3TR SI3410DV-T1-GE3DKR SI3410DVT1GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRL3803PBFInfineon Technologies
FDS6975onsemi
DG409DYZRenesas Electronics America Inc
MMBT3904LT1Gonsemi
LT5400AHMS8E-3#PBFAnalog Devices Inc.
LT1007IS8#PBFAnalog Devices Inc.
2N7002NTE Electronics, Inc
LTC1052CSW#PBFAnalog Devices Inc.
SI3424BDV-T1-GE3Vishay Siliconix
5-1462039-6TE Connectivity Potter & Brumfield Relays
FDC658APonsemi
