IRF8010STRLPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D2PAK
Базовый номер продукта	IRF8010
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	80A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3830 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	260W (Tc)
Другие имена	IRF8010STRLPBFTR IRF8010STRLPBFDKR IRF8010STRLPBFCT IRF8010STRLPBF-ND SP001565774