SQ4850EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
НОВА часть #:
312-2280716-SQ4850EY-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ4850EY-T1_GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SQ4850 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 12A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1250 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6.8W (Tc) | |
| Другие имена | SQ4850EY-T1_GE3TR SQ4850EY-T1_GE3DKR SQ4850EY-T1-GE3-ND SQ4850EY-T1_GE3-ND SQ4850EY-T1-GE3 SQ4850EY-T1_GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SQD50P04-09L_GE3Vishay Siliconix
- SQ4850EY-T1_BE3Vishay Siliconix
- HMC8073LP3DEAnalog Devices Inc.
- NP2G+Mini-Circuits
- ADM7170ACPZ-5.0-R7Analog Devices Inc.
- TPS16630RGERTexas Instruments
- TXB0108DQSRTexas Instruments
- ADM7171ACPZ-3.3-R7Analog Devices Inc.
- LM74610QDGKRQ1Texas Instruments








