SQD50P04-09L_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
НОВА часть #:
312-2281831-SQD50P04-09L_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQD50P04-09L_GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SQD50 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 17A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6675 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) | |
| Другие имена | SQD50P04-09L_GE3DKR SQD50P04-09L_GE3CT SQD50P04-09L-GE3-ND SQD50P04-09L_GE3TR SQD50P04-09L-GE3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SUD50P04-09L-E3Vishay Siliconix
LM358DG4Texas Instruments
IPD90P04P405ATMA2Infineon Technologies
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQD90P04-9M4L_GE3Vishay Siliconix
SBC846BWT1Gonsemi
RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor- SQD40081EL_GE3Vishay Siliconix
CLV1A-FKB-CKMQRNRFHBB79353CreeLED, Inc.- SUD50P04-08-GE3Vishay Siliconix
- SQD40061EL_GE3Vishay Siliconix
ULN2003ADRTexas Instruments
IPD50P04P4L11ATMA1Infineon Technologies
FDD4141Fairchild Semiconductor
