TP5322K1-G
MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
НОВА часть #:
312-2273353-TP5322K1-G
Производитель:
Номер детали производителя:
TP5322K1-G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 220 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB (SOT23) | |
| Базовый номер продукта | TP5322 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 120mA (Tj) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 200mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 1mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 220 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 110 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 360mW (Ta) | |
| Другие имена | TP5322K1-GDKR TP5322K1-GCT TP5322K1-GTR TP5322K1-G-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN24H3D5L-7Diodes Incorporated
TP5335K1-GMicrochip Technology
BSR92PH6327XTSA1Infineon Technologies- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
- ZVP1320FTADiodes Incorporated
TP0610T-GMicrochip Technology
RQ5E040TNTLRohm Semiconductor
BSS131H6327XTSA1Infineon Technologies