NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
НОВА часть #:
312-2289939-NVH4L040N120SC1
Производитель:
Номер детали производителя:
NVH4L040N120SC1
Стандартный пакет:
450
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-4L | |
| Базовый номер продукта | NVH4L040 | |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 58A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.3V @ 10mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 106 nC @ 20 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-4 | |
| VGS (макс.) | +25V, -15V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1762 pF @ 800 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 319W (Tc) | |
| Другие имена | 488-NVH4L040N120SC1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NVHL040N120SC1onsemi
NVH4L020N120SC1onsemi
IMZ120R045M1XKSA1Infineon Technologies
NVBG040N120SC1onsemi- NVH4L080N120SC1onsemi
- NVHL160N120SC1onsemi
MSC040SMA120B4Microchip Technology- NTH4L040N120SC1onsemi
- NVH4L160N120SC1onsemi
UF3C120040K4SUnitedSiC- NTH4L080N120SC1onsemi
FDBL86361-F085onsemi