NVH4L080N120SC1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-4L
Базовый номер продукта	NVH4L080
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	29A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.3V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-4
VGS (макс.)	+25V, -15V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1670 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	170mW (Tc)
Другие имена	488-NVH4L080N120SC1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!