SIHFL110TR-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
НОВА часть #:
312-2272883-SIHFL110TR-BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIHFL110TR-BE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 | |
| Базовый номер продукта | SIHFL110 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.5A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 180 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIHFL110TR-BE3CT 742-SIHFL110TR-BE3DKR 742-SIHFL110TR-BE3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- IRFL110TRPBFVishay Siliconix
- DMN15H310SE-13Diodes Incorporated
- IRFL4310TRPBFInfineon Technologies
- STN2NF10STMicroelectronics
- PHT6NQ10T,135Nexperia USA Inc.
- ZXMN10A25GTADiodes Incorporated
- IRLL014TRPBFVishay Siliconix
- FQT7N10TFonsemi
- DMN10H220L-7Diodes Incorporated





