DMN10H100SK3-13
MOSFET N-CH 100V 18A TO252
НОВА часть #:
312-2285646-DMN10H100SK3-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN10H100SK3-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-3 | |
| Базовый номер продукта | DMN10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 18A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 25.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1172 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 37W (Tc) | |
| Другие имена | DMN10H100SK3-13DICT DMN10H100SK3-13DITR DMN10H100SK3-13DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQB33N10LTMonsemi
IRLR3410TRLPBFInfineon Technologies
DMN10H170SK3-13Diodes Incorporated
TSM900N10CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation- FDD3690onsemi
AUIRLR3410TRInternational Rectifier- DMN10H099SK3-13Diodes Incorporated
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.- HUF76629D3STonsemi
AUIRLR3410TRLInfineon Technologies- IRLR3410TRPBFInfineon Technologies
- DMT10H015LK3-13Diodes Incorporated
