BSC0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON
НОВА часть #:
312-2288073-BSC0502NSIATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSC0502NSIATMA1
Стандартный пакет:
5,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 26A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-6 | |
| Базовый номер продукта | BSC0502 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 26A (Ta), 100A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1600 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 43W (Tc) | |
| Другие имена | BSC0502NSIATMA1CT BSC0502NSIATMA1DKR SP001288142 BSC0502NSIATMA1-ND BSC0502NSIATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NX3008NBKW,115Nexperia USA Inc.
PCA9655EDTR2Gonsemi
BZG03C62-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
BSC026NE2LS5ATMA1Infineon Technologies
TLV6700QDSERQ1Texas Instruments
EEH-ZF1V101VPanasonic Electronic Components
BSC016N06NSATMA1Infineon Technologies
LM74800QDRRRQ1Texas Instruments
