SQJ136ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2273138-SQJ136ELP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ136ELP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 350A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SQJ136 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 350A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.12mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8015 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQJ136ELP-T1_GE3CT 742-SQJ136ELP-T1_GE3TR 742-SQJ136ELP-T1_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay Siliconix- SIRA50DP-T1-RE3Vishay Siliconix
SQJ140EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SIJ438DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SQJ126EP-T1_GE3Vishay Siliconix
SQJA36EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJQ144AE-T1_GE3Vishay Siliconix
PSMNR90-40YLHXNexperia USA Inc.
NVMFS5C404NLAFT1Gonsemi
SQJ138ELP-T1_GE3Vishay Siliconix
