SQJ140EP-T1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

SQJ140EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8

НОВА часть #:

312-2272431-SQJ140EP-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQJ140EP-T1_GE3

Стандартный пакет:

3,000

N-Channel 40 V 266A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта	SQJ140
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	266A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3855 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	263W (Tc)
Другие имена	742-SQJ140EP-T1_GE3DKR 742-SQJ140EP-T1_GE3CT 742-SQJ140EP-T1_GE3TR