FDP083N15A-F102
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
НОВА часть #:
312-2289749-FDP083N15A-F102
Производитель:
Номер детали производителя:
FDP083N15A-F102
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 294W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220-3 | |
| Базовый номер продукта | FDP083 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 83A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6040 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 294W (Tc) | |
| Другие имена | FDP083N15A_F102 FDP083N15A_F102FS-ND FDP083N15AF102 FDP083N15A_F102-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDP075N15A-F102onsemi
IPP075N15N3GXKSA1Infineon Technologies
SBR12A45SD1-TDiodes Incorporated
MBRS3201T3Gonsemi- IPP200N15N3GXKSA1Infineon Technologies
LT6004IMS8#PBFAnalog Devices Inc.
FDP2D3N10CFairchild Semiconductor
FT234XD-RFTDI, Future Technology Devices International Ltd- 5922323302NFDialight
IXTP86N20X4IXYS- IPP110N20N3GXKSA1Infineon Technologies
- IPP110N20NAAKSA1Infineon Technologies
