DMN1054UCB4-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Diodes Incorporated
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	X1-WLB0808-4
Базовый номер продукта	DMN1054
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	2.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	700mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	4-XFBGA, WLBGA
VGS (макс.)	±5V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	8 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	908 pF @ 6 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	740mW (Ta)
Другие имена	DMN1054UCB4-7DICT DMN1054UCB4-7DITR DMN1054UCB4-7DIDKR