XP231N0201TR-G
MOSFET N-CH 30V 200MA
НОВА часть #:
312-2264438-XP231N0201TR-G
Производитель:
Номер детали производителя:
XP231N0201TR-G
Стандартный пакет:
3,000
N-Channel 30 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount -
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Torex Semiconductor Ltd | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | - | |
| Базовый номер продукта | XP231 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 10mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.18 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6.5 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 400mW (Ta) | |
| Другие имена | 893-XP231N0201TR-GCT 893-XP231N0201TR-GTR 893-XP231N0201TR-GDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- NTK3134NT1Gonsemi
- TLV76033DBZTTexas Instruments
- 2SK1828TE85LFToshiba Semiconductor and Storage
- MP26124GR-ZMonolithic Power Systems Inc.
- RJU003N03FRAT106Rohm Semiconductor
- TSM301K12CQ RFGTaiwan Semiconductor Corporation
- 632L3I016M00000CTS-Frequency Controls
- SSM3K15F,LFToshiba Semiconductor and Storage
- DMN31D5UFZ-7BDiodes Incorporated
- AO3162Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- SSM3K17FU,LFToshiba Semiconductor and Storage
- SSM3K44FS,LFToshiba Semiconductor and Storage











