PHB47NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
НОВА часть #:
312-2264294-PHB47NQ10T,118
Производитель:
Номер детали производителя:
PHB47NQ10T,118
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 47A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | PHB47NQ10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 47A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 66 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3100 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 166W (Tc) | |
| Другие имена | PHB47NQ10T /T3 PHB47NQ10T /T3-ND PHB47NQ10T118 568-5944-6 1727-4767-1 568-5944-6-ND 1727-4767-2 934056745118 568-5944-2-ND PHB47NQ10T,118-ND 568-5944-1-ND 1727-4767-6 568-5944-1 568-5944-2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQB33N10LTMonsemi
BUK9620-100B,118Nexperia USA Inc.
IRF540STRLPBFVishay Siliconix- BUK9629-100B,118Nexperia USA Inc.
STB40NF10LT4STMicroelectronics
