DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V 11.5A/29.5A 8SO
НОВА часть #:
312-2290248-DMT10H010LSS-13
Производитель:
Номер детали производителя:
DMT10H010LSS-13
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO | |
| Базовый номер продукта | DMT10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11.5A (Ta), 29.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3000 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.4W (Ta) | |
| Другие имена | DMT10H010LSS-13DITR DMT10H010LSS-13-ND DMT10H010LSS-13DIDKR DMT10H010LSS-13DICT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DMT6009LSS-13Diodes Incorporated- DMT10H015LSS-13Diodes Incorporated
