STL12N60M2
MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
НОВА часть #:
312-2288098-STL12N60M2
Производитель:
Номер детали производителя:
STL12N60M2
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 6.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerFlat™ (5x6) HV | |
| Базовый номер продукта | STL12 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | MDmesh™ M2 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 495mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 538 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 52W (Tc) | |
| Другие имена | 497-16039-1 497-16039-2 497-16039-6 -497-16039-6 -497-16039-1 -497-16039-2 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STL3NK40STMicroelectronics
IPN80R750P7ATMA1Infineon Technologies
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage- STL9N60M2STMicroelectronics
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon Technologies