APT7M120B
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
НОВА часть #:
312-2264616-APT7M120B
Производитель:
Номер детали производителя:
APT7M120B
Стандартный пакет:
1
Технический паспорт:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 [B] | |
| Базовый номер продукта | APT7M120 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2565 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 335W (Tc) | |
| Другие имена | APT7M120BMI APT7M120BMI-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IMW120R350M1HXKSA1Infineon Technologies
STW8N120K5STMicroelectronics
STH12N120K5-2STMicroelectronics
UF3C120400K3SUnitedSiC
STP12N120K5STMicroelectronics
G3R350MT12DGeneSiC Semiconductor- G2R1000MT17DGeneSiC Semiconductor
APT1204R7BFLLGMicrochip Technology- G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor