FDC602P
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
НОВА часть #:
312-2280368-FDC602P
Производитель:
Номер детали производителя:
FDC602P
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SuperSOT™-6 | |
| Базовый номер продукта | FDC602 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±12V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1456 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.6W (Ta) | |
| Другие имена | FDC602PTR FDC602PCT FDC602P-ND FDC602PDKR |
In stock Нужно больше?
0,17370 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDG8850NZonsemi
FDC640Ponsemi- FDC5614Ponsemi
- FDC6329Lonsemi
FDC638PFairchild Semiconductor
NTJD4152PT1Gonsemi
FDN5618Ponsemi
NCP380HSN05AAT1Gonsemi
TPC6111(TE85L,F,M)Toshiba Semiconductor and Storage- FDC5661N-F085onsemi
- FDC6333Consemi
- FDC604Ponsemi
NTD5865NLT4Gonsemi
