TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
НОВА часть #:
312-2273323-TPC6111(TE85L,F,M)
Производитель:
Номер детали производителя:
TPC6111(TE85L,F,M)
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | VS-6 (2.9x2.8) | |
| Базовый номер продукта | TPC6111 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 10 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 700 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta) | |
| Другие имена | TPC6111TE85LFDKR TPC6111(TE85L,F) TPC6111TE85LFDKR-ND TPC6111TE85LFCT TPC6111TE85LFTR TPC6111(TE85LFM)CT TPC6111(TE85LFM)TR TPC6111(TE85LFM)DKR TPC6111TE85LFCT-ND TPC6111TE85LFTR-ND TPC6111TE85LFM |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDC608PZonsemi
AO6409AAlpha & Omega Semiconductor Inc.
NTGS3136PT1Gonsemi
IRLTS2242TRPBFInfineon Technologies
SI3433CDV-T1-GE3Vishay Siliconix- FDC602Ponsemi
