SUD09P10-195-GE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
НОВА часть #:
312-2294196-SUD09P10-195-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUD09P10-195-GE3
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | SUD09 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 3.6A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1055 pF @ 50 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) | |
| Другие имена | SUD09P10-195-GE3CT SUD09P10-195-GE3TR SUD09P10195GE3 SUD09P10-195-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SPD15P10PLGBTMA1Infineon Technologies
RSD160P05TLRohm Semiconductor
STD10P10F6STMicroelectronics
IRFR5410TRPBFInfineon Technologies
SUD50P10-43L-E3Vishay Siliconix
IXTA96P085T-TRLIXYS
RD3P130SPTL1Rohm Semiconductor- FQD11P06TMonsemi
ZXMP10A18KTCDiodes Incorporated- SPD15P10PGBTMA1Infineon Technologies
- DMP10H400SK3-13Diodes Incorporated
DMP3099L-13Diodes Incorporated- SUD09P10-195-BE3Vishay Siliconix
SFR9120TFFairchild Semiconductor
