BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2264849-BSS306NH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS306NH6327XTSA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 30 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT23 | |
| Базовый номер продукта | BSS306 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.3A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 11µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.5 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 275 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 500mW (Ta) | |
| Другие имена | BSS306N H6327-ND BSS306NH6327XTSA1TR BSS306NH6327 BSS306N H6327DKR-ND BSS306N H6327CT BSS306NH6327XTSA1CT SP000928940 BSS306N H6327DKR BSS306NH6327XTSA1DKR BSS306N H6327 BSS306N H6327CT-ND BSS306N H6327TR-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSS308PEH6327XTSA1Infineon Technologies
SI1553CDL-T1-BE3Vishay Siliconix
BAT54-7-FDiodes Incorporated- BSS316NH6327XTSA1Infineon Technologies
EXB-2HV220JVPanasonic Electronic Components- SI2304-TPMicro Commercial Co
ADM3067ETRZ-EPAnalog Devices Inc.
2N7002LT1Gonsemi
SQJQ960EL-T1_GE3Vishay Siliconix- DMG3402L-7Diodes Incorporated
- DMG3406L-13Diodes Incorporated